Учебное пособие. — 2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Лаборатория базовых знаний, 2001. — 488 с.: ил.Рассмотрены основные аспекты микроэлектроники: физические, технологические и схемотехнические. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обсуждаются виды интегральных схем и схемотехника цифровых и аналоговых ИС. Во 2-ом издании отражены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые в настоящее время на практике.
Предназначена для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов. Может быть полезна широкому кругу специалистов, связанных с созданием и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на ИС.Предисловие ко второму изданию.
Предисловие к первому изданию.Предмет микроэлектроники.
Введение.
Интегральные схемы.
Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов.
Краткий исторический обзор.
Заключение.
Контрольные вопросы.Полупроводники.
Введение.
Структура полупроводников.
Носители заряда.
Энергетические уровни и зоны.
Распределение носителей в зонах проводимости.
Эффект поля.
Рекомбинация носителей.
Законы движения носителей в полупроводниках.
Контрольные вопросы.Полупроводниковые переходы и контакты.
Введение.
Электронно-дырочные переходы.
Контакты полупроводник-металл.
Граница полупроводник-диэлектрик.
Контрольные вопросы.Униполярные транзисторы.
Введение.
МДП-транзисторы.
Полевые транзисторы.
Контрольные вопросы.Физические принципы работы биполярного транзистора и тиристора.
Введение.
Принцип действия.
Распределения носителей.
Коэффициенты усиления тока.
Статические характеристики.
Малосигнальные эквивалентные схемы и параметры.
Переходные и частотные характеристики.
Тиристор.
Контрольные вопросы.Технологические основы микроэлектроники.
Введение.
Подготовительные операции.
Эпитаксия.
Термическое окисление.
Легирование.
Травление.
Техника масок.
Нанесение тонких пленок.
Металлизация.
Сборочные операции.
Технология тонкопленочных гибридных ИС.
Технология толстопленочных гибридных ИС.
Контрольные вопросы.Элементы интегральных схем.
Введение.
Изоляция элементов.
Транзисторы n-p-n.
Разновидности n-p-n-транзисторов.
Транзисторы p-n-p.
Интегральные диоды.
Полевой транзистор.
МДП-транзисторы.
Полупроводниковые резисторы.
Полупроводниковые конденсаторы.
Элементы ИС на полупроводниках группы А III 1 V .
Элементы пленочных ИС.
Контрольные вопросы.Основы цифровой схемотехники.
Введение.
Статический режим простейшего биполярного ключа.
Переходные процессы в простейшем биполярном ключе.
Ключ с барьером Шоттки.
Переключатель тока.
МДП-транзисторные ключи.
Помехоустойчивость ключей.
Бистабильные ячейки и триггеры.
Триггер Шмитта.
Контрольные вопросы.Основы аналоговой схемотехники.
Введение.
Составные транзисторы.
Статический режим простейшего усилителя.
Переходные процессы в простейшем усилителе.
Простейшие усилители на МДП-транзисторах.
Дифференциальные усилители.
Эмиттерные повторители.
Каскод.
Выходные каскады.
Стабилизаторы напряжения.
Стабилизаторы тока.
Контрольные вопросы.Интегральные схемы.
Введение.
Логические элементы на биполярных транзисторах.
Логические элементы на МДП-транзисторах.
Логические элементы на совмещенных биполярных и МОП-транзисторах (БиКМОП).
Логические элементы на полевых транзисторах с управляющим переходом металл-полупроводник (МЕП).
Параметры логических элементов.
Интегральные триггеры.
Запоминающие устройства.
Большие и сверхбольшие интегральные схемы.
Операционные усилители.
Надежность интегральных схем.
Заключение.
Контрольные вопросы.Заключение. Перспективы развития микроэлектроники.
Литература.

ИЗДАНИЕ ЧЕТВЕРТОЕ, ПЕРЕРАБОТАННОЕ И ДОПОЛНЕННОЕ

МОСКВА «ЭНЕРГИЯ» 1977

В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно переработана по сравнению с третьим изданием, вышедшим в 1973 г., первая часть книги, во вторую и третью части введены новые главы.

Книга предназначена для инженеров, аспирантов и студентов вузов, специализирующихся по микроэлектронике и прикладной электронике, вычислительной технике, автоматике и приборостроению.

Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1977.

Предисловие к четвертому изданию

ТРАНЗИСТОРЫ
Глава первая. Полупроводники
1-1. Введение
1-2. Структура полупроводников и типы проводимости
1-3. Энергетические зоны твердого тела
1-4. Зонная структура полупроводников
1-5. Законы распределения носителей в зонах полупроводника
1-6. Уровень Ферми
1-7. Концентрация носителей
1-8. Подвижность носителей
1-9. Удельная проводимость и удельное сопротивление
1-10. Рекомбинация носителей
Общие сведения (44). Равновесное состояние (47). Неравновесное состояние (50). Рекомбинация на ловушках (51). Время жизни (54). Поверхностная рекомбинация (57).
1-11. Законы движения носителей заряда в полупроводниках
1-12. Объемные заряды и поля в полупроводниках
Диэлектрическая релаксация (631. Эффект поля (66). Неоднородные полупроводники (71). Квазинейтральность (74).
1-13. Кинетика носителей заряда в полупроводниках
Биполярная диффузия (75). Дрейф (78). Монополярная диф¬фузия (79). Комбинированное движение (85).

Глава вторая. Полупроводниковые диоды
2-1. Введение
2-2. Электронно-дырочный переход
Классификация р-п переходов (88). Структура р-п перехода (90). Анализ перехода в равновесном состоянии (93). Анализ перехода в неравновесном состоянии (97). Плавные р-п переходы (102). Односторонние р-п переходы (104).
2-3. Специальные типы переходов
Переходы между примесными и собственными полупроводниками (105). Переходы между однотипными полупроводниками (106).
2-4. Контакты металл-полупроводник
Выпрямляющие контакты (108). Невыпрямляющие (омические) . контакты (110).
2-5. Анализ идеализированного диода
Исходные предпосылки (113). Решение диффузионного уравнения (115). Вольтамперная характеристика (117). Характеристические сопротивления (119). Температура перехода (121).
2-6. Обратная характеристика реального диода
Тепловой ток (123). Ток термогенерации (124). Поверхностные каналы (126). Ток утечки (128). Эквивалентная схема диода.при обратном смещении (128).
2-7. Пробой перехода
Туннельный пробой (129). Лавинный пробой (131). Тепловой пробой (133).
2-8. Прямая характеристика реального диода
Ток рекомбинации (134). Сопротивление базы (135). Зависимость прямого напряжения от температуры (137). Работа диода при высоком уровне инжекции (138). Дрейфовая составляющая тока инжектированных носителей (140). Коэффициент инжекции (141). Модуляция сопротивления базы (141). Распределение токов в базе (144). Эквивалентная схема диода при прямом смещении (146).
2-9. Переходные характеристики диода
Барьерная емкость (емкость перехода) (147). Диффузионная емкость (148). Режим переключения (150). Установление прямого напряжения (151). Рассасывание избыточных носителей (154). Восстановление обратного тока (сопротивления) (157).

Глава третья. Разновидности полупроводниковых диодов
3-1. Точечные диоды
3-2. Полупроводниковые стабилитроны
3-3. Туннельные диоды
3-4. Диоды Шоттки

Глава четвертая. Транзисторы
4-1. Введение
4-2. Основные процессы в транзисторе
Инжекция и собирание неосновных носителей (176). Распределение носителей в базе (179). Модуляция толщины базы (180).
4-3. Статические характеристики транзистора
Формулы Молла - Эберса (181). Идеализированные статические характеристики (183). Реальные статические характеристики (184)
4-4. Статические параметры транзистора
Коэффициент передачи эмиттерного тока (188). Сопротивление эмштерного перехода (192). Сопротивление коллекторного перехода (192). Коэффициент обратной связи по напряжению (193). Объемное сопротивление базы (194). Тепловой ток коллектора (195)
4-5. Динамические параметры транзистора
Барьерные емкости (196). Коэффициент инжекции (196). Коэффициент переноса (197). Коэффициент передачи тока (200). Диффузионные емкости (204). Постоянная времени базы (205). Инверсные параметры (206).
4-6. Зависимость параметров от режима и температуры
Зависимость от режима (207). Зависимость от температуры (210)
4-7. Характеристики и параметры транзистора при включении с общим эмиттером
Статические характеристики и параметры (212). Динамические параметры (216). Схема с общим коллектором (221)
4-8. Разновидности эквивалентных схем
П-образные эквивалентные схемы (221). Параметры транзистора как четырехполюсника (223). Сравнительная оценка (225)
4-9. Собственные шумы транзистора
Источники шумов (226). Коэффициент шума (228). Анализ коэффициента шума (230). Мощность и напряжение шума (232)
4-10. Составные транзисторы
4-11. Допустимая мощность и особенности мощных транзисторов
4-12. Дрейфовые транзисторы
Особенности дрейфовых транзисторов (238). Распределение носителей в базе (242). Коэффициент переноса (248). Динамические параметры (249).
4-13. Элементы технологии транзисторов
Получение и очистка полупроводников (252). Механическая, и химическая обработка (254). Эпитаксия (255). Диффузия (257). Основные технологические циклы (261). Сплавная технология (262). Мезатехнология (262). Планерная технология (265). Фото-, литография (266)

Глава пятая. Разновидности транзисторов
5-1. Точечный транзистор
5-2. Лавинный транзистор
5-3. Тиристоры
Динистор (275). Тринистор (280)
5-4. Униполярные (полевые) транзисторы
Унитрон (283). Разновидности унитронов (288). Особенности реальных приборов (290). Эквивалентная схема (292)
5-5. Полевые транзисторы с изолированным затвором
Структура и классификация (293). Физические процессы (294). Общий анализ (300). Характеристики и параметры в 1-м приближении (304). Характеристики и параметры во 2-м приближении (308). Влияние потенциала подложки (310). Эквивалентная схема (312). Схемы включения (315)

УСИЛИТЕЛИ
Глава шестая. Статический режим усилительного каскада
6-1. Выбор рабочей точки
6-2. Стабильность рабочей точки
Общий анализ (320). Стабильность типовых схем (323)
6-3. Расчет каскадов по постоянному току
Каскад с общей базой (325). Каскад с общим эмиттером (326). Каскад с общим коллектором (327)

Главая седьмая. Усилители с емкостной связью
7-1. Введение
7-2. Каскад в области средних частот
Упрощенный анализ (329). Внутренняя обратная связь (332). Полный анализ (334)
7-3. Каскад в области больших времен и низших частот
Влияние переходных емкостей (337). Влияние блокирующей емкости в цепи эмитера (338). Совместное влияние емкостей (340). Коррекция искажений вершины (341)
7-4. Каскад в области малых времен и высших частот
Переходные характеристики (342). Частотные, характеристики (346). Добротность каскада (347). Коррекция фронта (350)
7-5. Многокаскадные усилители
Область средних частот (352). Область малых времен (353)

Глава восьмая. Обратная связь в усилителя
8-1. Введение
8-2. Общие вопросы однонаправленной обратной связи
Основные соотношения (356). Классификация (361).
8-3. Внутренняя обратная связь
Источник сигнала - генератор тока (365). Источник сигнала - генератор э. д. с. (366). Сравнительная оценка (368)
8-4. Обратная связь по переменному току
Местная обратная связь по току (369). Местная обратная связь по напряжению (371). Общая обратная связь (374)
8-5. Обратная связь по постоянному току

Глава девятая. Эмиттерные повторители
9-1. Введение
9-2. Простой повторитель
Входное сопротивление (382). Выходное сопротивление (385) Коэффициент передачи (386). Динамический диапазон (390)
9-3. Сложные повторители
Повторитель на составном транзисторе (392). Составной повторитель с внутренней обратной связью (393). Повторитель с динамической нагрузкой (394)

Глава десятая. Каскад с эмиттерным входом
10-1. Область средних частот
10-2. Передача фронта импульса
10-3. Каскад с эмиттерной связью
10-4. Каскад

Глава одиннадцатая. Усилители с трансформаторной связью
11-1. Введение
11-2. Коэффициент трансформации
11-3. Область средних частот
Параметры каскада (406). Максимальный коэффициент усиления мощности (407)
11-4. Область низших частот
Граничная частота и выбор индуктивности обмоток трансформатора (409). Искажения вершины импульса (410)
11-5. Максимальная частота генерации транзистора

Глава двенадцатая. Мощные выходные каскады
12-1. Введение
12-2. Однотактные каскады класса А
Энергетические соотношения (413). Нелинейные искажения (417). Особенности каскада ОЭ (418)
12-3. Двухтактные каскады класса В
Энергетические соотношения (420). Нелинейные искажения (424). Каскад с дополнительной симметрией (426)

Глава тринадцатая. Усилители постоянного тока 13-1. Введение
13-2. Температурный дрейф
13-3. Однотактные усилители
13-4. Термокомпенсация усилителей
13-5. Усилители с модуляцией сигнала

Глава четырнадцатая. Дифференциальный каскад
14-1. Введение
14-2. Общие свойства
14-3. Усилительные параметры
14-4. Точностные параметры
14-5. Эволюция схемы и параметров
14-6. Операционные усилители
14-7. Каскад на МДП транзисторах

ИМПУЛЬСНЫЕ СХЕМЫ
Глава пятнадцатая. Транзисторные ключи
15-1. Введение
15-2. Статические характеристики ключа ОЭ
Режим отсечки (461). Режим насыщения (463)
15-3. Транзисторные прерыватели
15-4. Метод заряда
15-5. Переходные характеристики ключа ОЭ
Задержка фронта (478). Положительный фронт (479). Накопление носителей (480). Рассасывание носителей. (483). Отрицательный фронт (488). Ключ с форсирующей емкостью (493)
15-6. Разновидности насыщенных ключей
15-7. Ненасыщенные ключи
Ключи с нелинейной обратной связью (498). Токовые ключи (501)
15-8. Мощность, рассеиваемая транзистором в ключевом режиме

Глава шестнадцатая. Симметричный триггер
16-1. Введение
16-2. Статический режим
Условие запирания транзистора (509). Условие насыщения транзистора (510). Выходное напряжение и выходной ток (511). Статическая нагрузка (513)
16-3. Схемные варианты симметричного триггера
Триггер с автоматическим смещением (514). Триггер без смещения (515). Триггер с непосредственными связями (516).
16-4. Переходные процессы в режиме раздельных входов
Общее описание (517). Анализ фронтов (520). Максимальная рабочая частота (524)
16-5. Переходные процессы в режиме общего входа
Общее описание (526). Анализ фронтов (530). Максимальная рабочая частота (532). Коллекторный запуск (533). Особенности применения дрейфовых транзисторов (535)

Глава семнадцатая. Триггер с эмиттериой связью
17-1. Введение
17-2. Статический режим
Рабочий цикл (537). Входная характеристика (538). Анализ входной характеристики (540). Статический расчет (512)
17-3. Стабильность порогов срабатывания и отпускания
Методика анализа (543). Анализ температурного дрейфа (544). Компенсация температурного дрейфа (548). Временной дрейф (549)

Глава восемнадцатая. Мультивибраторы
18-1. Симметричные мультивибраторы
Рабочий цикл (549). Рабочая частота и ее стабильность (552). Регулирование частоты (555). Скважность импульсов и отрицательный фронт (556)
18-2. Мультивибратор с разрядным триггером
Введение (559). Рабочий цикл (560). Рабочая частота и скважность (561)

Глава девятнадцатая. Одновибраторы
19-1. Одновибратор с змиттерной связью
Рабочий цикл (562). Статический расчет (563). Время выдержки и его стабильность (564). Время восстановления (565). Роль спускового импульса (567)
19-2. Одновибратор с разрядным триггером

Глава двадцатая. Блокинг-генератор
20-1. Общее описание
20-2. Интервал между импульсами
20-3. Фронты импульсов
20-4. Вершина импульса
20-5. Выброс напряжения

Глава двадцать первая. Генераторы пилообразного напряжения
21-1. Введение
21-2. Общая характеристика и классификация
Параметры генераторов (588). Скелетная схема и режимы работы (589). Разновидности генераторов (590). Обратный ход (595). Особенности генераторов спадающего напряжения (596)
21-3. Простейшие генераторы с интегрирующей цепочкой
21-4. Генераторы с параметрическим стабилизатором тока
21-5. Генераторы со следящей связью
Генераторы с повторительной связью (602). Генераторы с усилительной связью (606). Фантастроны (609)

ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ
Глава двадцать вторая. Преобразователи постоянного напряжения
22-1. Принцип действия и классификация
22-2. Анализ преобразователя с трансформаторной обратной связью
22-3. Особенности практической схемы

Глава двадцать третья. Стабилизаторы напряжения
23-1. Введение
23-2. Стабилизаторы параллельного типа
Общие свойства (623). Диодные стабилизаторы (628). Транзисторные стабилизаторы (630)
23-3. Стабилизаторы последовательного типа
Общие свойства (632). Однокаскадный стабилизатор (635). Многокаскадные стабилизаторы (637)
23-4. Сравнение параллельных и последовательных стабилизаторов
23-5. Особенности практических схем
Регулировка выходного напряжения (642). Температурная стабильность (645). Зависимость параметров от частоты и режима (646)
23-6. Методика расчета стабилизаторов
Приложение
Список литературы
Предметный указатель

ПРЕДИСЛОВИЕ К ЧЕТВЕРТОМУ ИЗДАНИЮ

В предисловии к 3-му изданию отмечалось, что данная книга помимо специализирующихся по дискретной транзисторной технике рассчитана также на один из новых типов специалистов, появившихся благодаря развитию микроэлектроники, - проектировщиков интегральных схем. При подготовке 4-го издания автор старался внести такие изменения, которые отвечали бы интересам и тех и других. А именно, в первой части («Транзисторы») существенно переработаны и дополнены разделы, посвященные эффекту поля, контакту «металл-полупроводник», а также § 5-4 и § 5-5 (в этих двух параграфах, в частности, учтен ряд особенностей, свойственных интегральному исполнению). Во всей первой части автор старался в максимальной степени отдавать предпочтение кремниевым приборам по сравнению с германиевыми.

Во вторую часть («Усилители») введены гл. 14 «Дифференциальный каскад», а также § 10-4 «Каскад». Эти дополнения давно назрели, так как оба каскада давно вошли в практику и дискретных, и интегральных схем. Особо хотелось бы отметить, что в книге впервые анализируются усилители постоянного тока на МДП транзисторах (§ 14-7). Глава 13 сокращена в объеме, поскольку материал о параллельно-балансных каскадах помещен в гл. 14, и по существу посвящена однотактным усилителям постоянного тока.

В третьей части («Импульсные схемы») главное дополнение состоит в том, что в § 15-7 введен раздел «Токовые ключи», характеризующий ненасыщенный режим транзисторного ключа и одновременно дающий некоторое представление о логических схемах.

Как и в предыдущих изданиях, выполнен большой объем редакционной работы, включая сокращение текста в некоторых разделах и обновление литературы.

Автор отдает себе отчет в том, что структуру книги тоже желательно было бы усовершенствовать: материал, касающийся свойств полупроводников, превышает объемные нормы главы, материал о полевым транзисторам - нормы параграфов и т. п. Логические элементы, ячейки памяти, компараторы и некоторые другие типы схем в книгу не включены сознательно: при отборе материала автор по-прежнему руководствуется тем, что книга посвящена основам транзисторной техники и не является энциклопедическим обзором всех известных вариантов приборов и схем. Кроме того, учитывается, что многие схемы перспективны лишь в интегральном исполнении, а микроэлектронике должна быть посвящена специальная книга.

В книге в целях сохранения преемственности с предыдущими изданиями оставлены прежние буквенные обозначения параметров полупроводниковых приборов (таблица соответствия обозначений, принятых в книге и по ГОСТ, приведена в приложении).

Скачать книгу Основы теории транзисторов и транзисторных схем . Москва, Издательство «Энергия», 1977

4-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Энергия, 1977. — 672 с. с ил.В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно переработана по сравнению с третьим изданием, вышедшим в 1978 г., первая часть книги, во вторую и третью части введены новые главы.
Книга предназначена для инженеров, аспирантов и студентов вузов, специализирующихся по микроэлектронике и прикладной электронике, вычислительной технике, автоматике и приборостроению.Предисловие к четвертому изданию Транзисторы
Полупроводники
Введение.
Структура полупроводников и типы проводимости.
Энергетические зоны твердого тела.
Зонная структура полупроводников.
Законы распределения носителей в зонах полупроводника.
Уровень Ферми.
Концентрация носителей.
Подвижность носителей.
Удельная проводимость и удельное сопротивление.
Рекомбинация носителей.
Законы движения носителей заряда в полупроводниках.
Объемные заряды и поля в полупроводниках.
Кинетика носителей заряда в полупроводниках.
Полупроводниковые диоды
Введение.
Электронно-дырочный переход.
Специальные типы переходов.
Контакты металл-полупроводник.
Анализ идеализированного диода.
Обратная характеристика реального диода.
Пробой перехода.
Прямая характеристика реального диода.
Переходное характеристики диода.
Разновидности полупроводниковых диодов
Точечные диоды.
Полупроводниковые стабилитроны.
Туннельные диоды.
Диоды Шоттки.
Транзисторы
Введение.
Основные процессы в транзисторе.
Статические характеристики транзистора.
Статические параметры транзистора.
Динамические параметры транзистора.
Зависимость параметров от режима и температуры.
Характеристики и параметры транзистора при включении с общим эмиттером.
Разновидности эквивалентных схем.
Собственные шумы транзистора.
Составные транзисторы.
Допустимая мощность и особенности мощных транзисторов.
Дрейфовые транзисторы.
Элементы технологии транзисторов.
Разновидности транзисторов
Точечный транзистор.
Лавинный транзистор.
Тиристоры.
Униполярные (полевые) транзисторы.
Полевые транзисторы с изолированным затвором.Усилители
Статический режим усилительного каскада
Выбор рабочей точки.
Стабильность рабочей точки.
Расчет каскадов по постоянному току.
Усилители с емкостной связью
Введение.
Каскад в области средних частот.
Каскад в области больших времен и низших частот.
Каскад в области малых времен и высших частот.
Многокаскадные усилители.
Обратная связь в усилителя
Введение.
Общие вопросы однонаправленной обратной связи.
Внутренняя обратная связь.
Обратная связь по переменному току.
Обратная связь по постоянному току.
Эмиттерные повторители
Введение.
Простой повторитель.
Сложные повторители.
Каскад с эмиттерным входом
Область средних частот.
Передача фронта импульса.
Каскад с эмиттерной связью.
Каскод.
Усилители с трансформаторной связью
Введение.
Коэффициент трансформации.
Область средних частот.
Область низших частот.
Максимальная частота генерации транзистора.
Мощные выходные каскады
Введение.
Однотактные каскады класса А.
Двухтактные каскады класса В.
Усилители постоянного тока
Введение.
Температурный дрейф.
Однотактные усилители.
Термокомпенсация усилителей.
Усилители с модуляцией сигнала.
Дифференциальный каскад
Введение.
Общие свойства.
Усилительные параметры.
Точностные параметры.
Эволюция схемы и параметров.
Операционные усилители.
Каскад на МДП транзисторах.Импульсные схемы
Транзисторные ключи
Введение.
Статические характеристики ключа ОЭ.
Транзисторные прерыватели.
Метод заряда.
Переходные характеристики ключа ОЭ.
Разновидности насыщенных ключей.
Ненасыщенные ключи.
Мощность, рассеиваемая транзистором в ключевом режиме.
Симметричный триггер
Введение.
Статический режим.
Схемные варианты симметричного триггера.
Переходные процессы в режиме раздельных входов.
Переходные процессы в режиме общего входа.
Триггер с эмиттерной связью
Введение.
Статический режим.
Стабильность порогов срабатывания и отпускания.
Мультивибраторы
Симметричные мультивибраторы.
Мультивибратор с разрядным триггером.
Одновибраторы
Одновибратор с эмиттерной связью.
Одновибратор с разрядным триггером.
Блокинг-генератор
Общее описание.
Интервал между импульсами.
Фронты импульсов.
Вершина импульса.
Выброс напряжения.
Генераторы пилообразного напряжения
Введение.
Общая характеристика и классификация.
Простейшие генераторы с интегрирующей цепочкой.
Генераторы с параметрическим стабилизатором тока.
Генераторы со следящей связью.Источники питания
Преобразователи постоянного напряжения
Принцип действия и классификация.
Анализ преобразователя с трансформаторной обратной связью.
Особенности практической схемы.
Стабилизаторы напряжения
Введение.
Стабилизаторы параллельного типа.
Стабилизаторы последовательного типа.
Сравнение параллельных и последовательных стабилизаторов.
Особенности практических схем.
Методика расчета стабилизаторов.Приложение
Список литературы
Предметный указатель

Учебно-методическое обеспечение дисциплины (модуля). 1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники

Основная литература

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Лаборатория базовых знаний, 2002

2. Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая электроника. - М.: Гор. линия-Телеком, 2002, - 768 с.

Дополнительная литература

1. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника Учебное пособие для приборостроительных спец. вузов.-2-е изд. перераб. и доп.-М: Высш. шк., 1991

2. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1991

3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 т. - М.: Мир, 1984

4. Барыбин, В.Г. Сидоров Физико-технологические основы электроники - CПб.: Лань, 2001

5. Токхейм Р. Основы цифровой электроники. Пер. с англ. - М.: Мир, 1988

6. Хоровиц. П., Хилл У. Искусство схемотехники. Т.1- Т.3. - М.: МИР, 1994

7. Ганский П.Н. Машинный анализ и расчет электронных схем: Учебное пособие.- М.: "АВС Паблиш", 1999

8. ПасынковВ.В.,Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. - М.: Высш.шк.,1987

9. Секлоф С. Аналоговые интегральные схемы. Пер. с англ. - М.: Мир. 1988

10. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, изд.3-е, перераб. и доп. - М., «Энергия», 1973

11. ПасынковВ.В.,Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. - М.:Высш.шк.,1987

12. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. - М.: Высш. шк., 1991

13. Фролкин В.Т., Попов Л.Н. Импульсные и цифровые устройства: Учебное пособие для ВУЗов. - М.: Радио и связь, 1992

14. К. Шимони Физическая электроника. - М.: Энергия, 1972

15. Физическая электроника. - СПб: Ленингр. политехн. ин-т им. М.И. Калинина, 1975

16. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Электроника. Физические и технологические основы, надежность. - М.: Высшая школа, 1986

17. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. - М.: Высш. шк., 1987

18. Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы. - М., 1990

19. Электроника. Книга IV ГИС, под.ред. Митрофанова, 1987

20. Электроника. Книга V ИПС, под.ред. Митрофанова, 1987

21. Гершунский Б.С. Тугов Н.М. Основы электроники, 1977

22. Глебов Б.А.Чарыков Н.А.Жеребцов В.Г. Полупроводниковые приборы, 1990

23. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника, 1991

24. Алексеенко А.Г. Шагурин И.И. Пухальский Г.Н. Новосельцева Т.Я. Микросхемотехника. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах, 1990

25. Остапенко Г.С. Сборник задач и упражнений. М.:Радио и связь, 1989.

26. Остапенко Г.С. Усилительные устройства. Учебное пособие для вузов. М.:Радио и связь,1989.

Периодические издания

7.3.1 Журналы: «Электроника»; «Радио»; «Успехи зарубежной радиоэлектроники»; «Микропроцессорные средства и системы»; «Приборы и системы управления»; «Зарубежная радиоэлекроника»; «Приборы и техника эксперимента».